Kit de 6 piezas - Transistor Irf 540 N - iRF540N

Descripción

Este kit se compone de 6 piezas del transistor IRF 540 N - IRF540, un producto de alta calidad de la marca IR. Este transistor tiene un canal MOSFET IRF540: N, con una potencia de disipación (Pd) de 150 W, un voltaje de fuente de drenaje (Vds) de 100 V, un voltaje del puerto fuente (Vgs) de 20 V y un voltaje de fuente umbral (Vgs (th)) de 4 V.

La corriente de drenaje (Id) es de 30 A, la temperatura de unión (Tj) es de 175 °C, la carga de compuerta (Qg) es 72 nC y la capacitancia de drenaje (Cd) es 2100 pF. La resistencia de la fuente de drenaje (Rds) es de 0.077 ohmios. Este transistor tiene un voltaje base colector (UCB) de 100 V, un voltaje colector-emisor (UCE), un voltaje base emisor (UEB) y una corriente de 28 A.

Este transistor MOS FET de canal N tiene varios usos y es equivalente al BUK456-100 y al BUZ22. El modelo del transistor es IRF540 y el código del transistor también es IRF540. El voltaje es de 100 V y la corriente es de 23 A. Este kit es ideal para quienes necesitan transistores de alta calidad y rendimiento.